晶圆面型规格壁厚、TTV、BOW、Warp、内心粗拙度、膜厚、等是处理器做成加工过程可以斟酌的数量描摹规格。此中TTV、BOW、Warp这三个规格反應了半导体技术晶圆的立体图像度和壁厚的平均性，对处理器做成tcp连接中的若干关头加工过程品级有外源性后果。
TTV、BOW、WARP对晶圆拍摄流程的引响
对化学机器抛光工艺的影响：抛光不平均，能够会致使CMP进程中的不平均抛光，从而构成外表粗拙和残留应力。
对薄膜堆积工艺的影响：凸凹不平的晶圆在堆积进程中会致使堆积薄膜厚度的不平均，影响随后的光刻和蚀刻进程中成立电路图案的精度。
对光刻工艺的影响：影响聚焦；不平坦的晶圆，在光刻进程中，会致使光刻核心深度变更，从而影响光刻图案的品质。
对晶圆装载工艺的影响：在主动装载进程中，凸凹的晶圆轻易破坏。如碳化硅衬底加工进程中，普通还会在切割工艺时留有余量，以便在后续研磨抛光进程中减小TTV、BOW、Warp的数值。
TTV、BOW、Warp的辨别
TTV描写晶圆的厚度变更，不量测晶圆的曲折或翘曲；BOW怀抱晶圆曲折水平，首要怀抱斟酌中间点与边缘的曲折；Warp更周全，怀抱全部晶圆外表的曲折和翘曲。虽然这三个参数都与晶圆的多少特征有关，但量测的存眷点各有差别，对半导体制程和晶圆处置的影响也有所区分。
WD4000一系列晶圆是多少量测网络体系功效与作用及借助商标意图
WD4000晶圆多少量测体系可主动丈量Wafer厚度、曲折度、翘曲度、粗拙度、膜厚 、内涵厚度等参数。该体系可用于丈量差别巨细、差别资料、差别厚度晶圆的多少参数;晶圆材质如碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅、玻璃片等。它因此下丈量手艺的组合：
光谱共焦手艺丈量Wafer Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等参数，同时天生Mapping图；
三维外表丈量手艺：对Wafer外表停止光学扫描同时成立外表3D层析图象，高效阐发晶圆外表描摹、粗拙度、丈量镭射槽深宽等描摹参数；
白光干与光谱阐发仪，可经由过程数值七点相移算法计较，以亚纳米分辩率丈量晶圆外表的部分高度，并完成膜厚丈量功效；
红别传感器收回的探测光在 Wafer差别外表反射并构成干与，由此计较出两外表间的间隔（即厚度），合用于丈量内涵片、键合晶圆多少参数。
CCD定位巡航功效，具有Mark定位，及图案晶圆避障功效。
WD4000无图晶圆数量量测指标网络体系已多见用于衬底制作加工生产、内在制作加工生产、晶圆制作加工生产、晶圆减薄法宝、晶圆镜面抛光法宝、及二极管封装减薄生产技术段的量测；笼盖半导体器件芯片前道、中道、后道这条生产技术线。该指标网络体系不只多见用于半导体器件芯片制造业，在3C微电子安全玻璃屏、磁学制作加工生产、显露盖板、太阳能光伏、等超严密制作加工生产制造业也同比实行用。
量测管理体制积极主动性好坏料，积极主动性测量
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